硅片薄膜厚度儀

簡(jiǎn)要描述：硅片薄膜厚度儀的工作原理主要分為接觸式測(cè)量和非接觸式測(cè)量?jī)煞N，每種方式都有其獨(dú)特的技術(shù)特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。

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更新時(shí)間：2026-08-03
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硅片薄膜厚度儀

硅片薄膜厚度儀

接觸式測(cè)量原理

接觸式測(cè)量是較為傳統(tǒng)的測(cè)量方式，它主要通過(guò)機(jī)械探頭直接與被測(cè)硅片薄膜表面進(jìn)行接觸。當(dāng)探頭接觸到薄膜時(shí)，會(huì)受到一定的阻力，儀器內(nèi)部的壓力傳感器或位移傳感器會(huì)將這種阻力轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，進(jìn)而通過(guò)一系列復(fù)雜的算法和換算，得出薄膜的厚度數(shù)值。就好比我們用尺子去測(cè)量物體的長(zhǎng)度，尺子與物體直接接觸獲取數(shù)據(jù)。這種測(cè)量方式的優(yōu)點(diǎn)在于測(cè)量精度相對(duì)較高，而且設(shè)備成本相對(duì)較低，操作也比較簡(jiǎn)單，在一些對(duì)樣品無(wú)損要求不高的場(chǎng)景中應(yīng)用廣泛。

不過(guò)，接觸式測(cè)量也存在一些明顯的缺點(diǎn)。由于探頭與薄膜直接接觸，可能會(huì)對(duì)薄膜表面造成一定程度的損傷，尤其是對(duì)于那些非常薄或者質(zhì)地脆弱的薄膜，這種損傷可能會(huì)影響到薄膜的性能和后續(xù)的工藝處理。而且，接觸式測(cè)量的速度相對(duì)較慢，難以滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中對(duì)于高速、大規(guī)模測(cè)量的需求。

非接觸式測(cè)量原理

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，對(duì)硅片薄膜厚度測(cè)量的無(wú)損性和高效性要求越來(lái)越高，非接觸式測(cè)量原理應(yīng)運(yùn)而生。非接觸式測(cè)量主要利用光學(xué)原理，其中激光干涉法是目前應(yīng)用較為廣泛的一種技術(shù) 。當(dāng)一束激光照射到硅片薄膜表面時(shí)，一部分光線會(huì)在薄膜的上表面反射，另一部分光線則會(huì)穿透薄膜，在薄膜與硅片基體的界面處反射。這兩束反射光會(huì)發(fā)生干涉現(xiàn)象，形成干涉條紋。通過(guò)對(duì)干涉條紋的分析，比如條紋的間距、數(shù)量和形狀等信息，就可以精確計(jì)算出薄膜的厚度。

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